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东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助
东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)发布“XK1R9F10QB”,这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于汽车的48V设备应用,例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。
此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20200224006003/en/
这款新产品是东芝采用槽形结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品,采用该公司的最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装安装,提供业界领先的低导通电阻[2],最大导通电阻为1.92mΩ,与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化,它还提供更低的开关噪声,从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外,将阈值电压宽缩小至1V,可以增强并联时的开关同步性。
应用场合
汽车设备(负载开关、开关电源和电机驱动等)
特性
・采用槽形结构的U-MOS X-H系列MOSFET
・业界领先的低导通电阻
VGS=10V时,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)
・符合AEC-Q101要求
主要规格
(Ta=25°C时) | ||||||||||
产品型号 | 极性 | 绝对最大额定值 | 漏源 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) | 沟道 到管壳的热阻 Zth(ch-c) 最大值 (℃/W) | 封装 | 系列 | ||||
漏源电压 VDSS (V) | 漏电流 (直流) ID (A) | 漏 电流 (脉冲) IDP (A) | 沟道温度 Tch (℃) | VGS =6V时 | VGS =10V时 | |||||
N沟道 | 100 | 160 | 480 | 175 | 3.31 | 1.92 | 0.4 | TO-220SM(W) | U-MOS X-H |
注:
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较; 根据东芝调查,截至2020年2月25日。
[3] EMI(电磁干扰)
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